Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0220U101658, 0117U002203 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вивчення електронної структури та фізико-хімічних властивостей потрійних та почетверених оксидних, халькогенідних і галогенідних фаз Назва етапу роботи Керівник роботи Хижун Олег Юліанович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 17-02-2020 Організація виконавець Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича Національної академії наук України Опис етапу Експериментальними і теоретичними методами досліджені електронна структура і оптичні властивості низки оксидних, халькогенідних і галогенідних фаз. Відповідно до виконаних в роботі «першопринципних» зонних DFT-розрахунків гібридизація електронних рівнів свідчить про значну частину ковалентного типу хімічного зв‘язку в сполуках A2HgSnB4 (A=Ag, Cu, B=Se, S) поряд з іонним зв’язком. Результати «першопринципних» DFT-розрахунків свідчать, що Br4p-стани є основними в валентній зоні Tl4HgBr6, в той час як Tl6s та Hg6s стани роблять істотний внесок в нижній частині валентної зони, а Tl6s стани вносять значний вклад у верхній частині валентної зони Tl4HgBr6. Ar+ іонне бомбардування поверхні монокристалів Tl4HgІ6 та Tl10Hg3Cl16 істотно не змінює розподіл електронних станів в межах валентної зони вказаних сполук. Опис продукції Розробка нових матеріалів вимагає розуміння природи і механізмів отримання заданих властивостей. Матеріали з цими властивостями широко використовуються в різноманітних науково-технічних галузях. Так, найбільш поширене застосування галогенідів Tl4BX6 (B=Cd, Hg, Pb, X=Se, S), Tl4HgX6 (X=Br, I) - детектори гамма-променів, сонячні елементи, іон-селективні електроди, сенсори температури тощо. AI-CIII-DIV-Q (AI=Li, Na, K, Rb, Cs, Ti, CIII=Ga, In, DIV=Si, Ge, Sn, Q=S, Se) є дуже перспективними для термоелектричних та вольтаїчних застосувань, у якості частотних модуляторів, пристроїв для медичної візуалізації, когерентного випромінювання лазерів, що володіють великою потужністю і пропускають в діапазоні довжин хвиль, що відповідають середньому інфрачервоному випромінюванню. Автори роботи Ільків Богдан Ігорович Вербицька Тетяна Володимирівна Денисюк Наталія Михайлівна Драненко Олексій Сергійович Золотаренко Анатолій Дмитрович Золотаренко Олексій Дмитрович Золотаренко Олександр Дмитрович Копилова Катерина Ігорівна Кошелев Михайло Васильович Лисенко Надія Володимирівна Лужний Іван Васильович Моріна Ніна Іванівна Петровська Світлана Степанівна Синельниченко Олексій Корнійович Стецун Аполінарій Іванович Ткач Віра Андріївна Фоя Олександр Олександрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити