Реєстраційний номер
0221U102961,
0116U003696
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розробка та діагностика напівпровідникових структур ІЧ та терагерцової фотоелектроніки
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Сизов Федір Федорович, Доктор фізико-математичних наук
Дата реєстрації
12-02-2021
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Опис етапу
Реферат
НДР. Кількість сторінок – 200, рисунків – 135, таблиць – 21, кількість посилань – 182.
Розроблено технологічні підходи застосування іонно-плазмової модифікації поверхні напівпровідника CdZnTe та пасивації його поверхні, зокрема алмазо-подібними вуглецевими плівками, для створення рентгенівських та гамма–детекторів, які характеризуються низькими струмами витоку, стійкими функціональними характеристиками та працюють за кімнатної температури.
Досліджено властивості композитів на основі Fe2O3, та вивченні фазовий складу, архітектура та кінетика носіїв заряду в наногетероструктурах на основі оксидів Fe та Cr.
Спроектовано та виготовлено вимірювальну систему для тестування електричних параметрів приладів з зарядовим зв'язком з електронним множенням різних форматів. Розроблене обладнання дозволяє вимірювати фотоелектричні параметри багатоелементних фотоприймачів. Розроблені методики та представлені результати вимірювань темнових струмів, чутливості вихідного підсилювача, ефективності передачі заряду, зарядової ємності та інших параметрів. Дослідження проводилися на зразках формату 576 × 288, 640 × 512, 768 × 576, 1024 × 1024, 1280 × 1024 як на пластинах, так і в корпусах.
Розроблена топологія та технологічні режими виготовлення дискретних фотодіодів ( = 0.5 - 1.5 мм) для середнього ІЧ діапазону спектра на основі епітаксійних шарів кадмій-ртуть-телур (КРТ). Досліджено оптичні, фотоелектричні і вольт-амперні характеристики дискретних КРТ-фотодіодів для спектрального діапазону 3÷5 мкм з метою досягнення необхідних експлуатаційних параметрів. Встановлено, що одержані фотодіоди можуть працювати в режимах, обмежених флуктуаціями фонового випромінювання (BLIP-режим).
Проведено технологічні операції виготовлення структур макропористого кремнію з нанопокриттями SiO2, наночастинок CdS та ZnO. Сформовані омічні та неомічні контактів до виготовлених структур. Теоретично досліджені особливості формування фотонної зонної структури у двовимірних фотонних кристалах макропорис
Опис продукції
Автори роботи
Карачевцева Людмила Анатоліївна
Рева Володимир Павлович
Цибрій Зіновія Федорівна
Додано/оновлено в НРАТ
2021-02-12
