Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0221U104073, 0116U003053 , Науково-дослідна робота Назва роботи Будова і властивості матеріалів пристроїв спінтроніки та сенсорики на основі перехідних металів Назва етапу роботи Керівник роботи Уваров Віктор Миколайович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 02-03-2021 Організація виконавець Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова Національної академії наук України Опис етапу Спільне використання методів комп'ютерного моделювання просторової структури сполук, методів рентгенівської, рентгеноелектронної, оптичної, магнітооптичної, ЕПР спектроскопій, магнітометрії, а також розрахунків їхньої електронної структури в зонному наближенні дозволило отримати цілий ряд цінних нових результатів. Зокрема, у роботі виявлена роль локальних парціальних електронних станів при формуванні валентних зон і участь електронів різної симетрії в утворенні хімічних зв'язків, зроблена оцінка повних і парціальних зарядових станів атомів, що входять до складу досліджених фаз Гейслера, показано, що структура валентних смуг істотно залежить від атомного складу і симетрії їхніх кристалічних решіток. Вперше виявлені ефекти впливу атомних розупорядкувань на енергію зв'язків і певні особливості хімічних міжатомних взаємодій, та на магнітні характеристики сплавів Гейслера. Виявлено, що енергії зв'язків зростають в послідовності сплавів PdMnSb NiMnSb PtMnSb за рахунок росту ковалентної взаємодії атомів, що підтверджується резистивними вимірами. Детально вивчено вплив мартенситного L21 → L10 перетворення в сплаві Гейслера Fe2MnGa на його електронну структуру та фізичні властивості. Встановлено, що попередня термообробка цього сплаву дозволяє, при кімнатній температурі, зафіксувати аустенітну чи мартенситну фазу з відповідними властивостями, а також показано, що збільшення електроопору та зміна знаку температурного коефіцієнту опору при переході в аустенітну фазу обумовлені змінами в густині електронних станів на рівні Фермі. Виявлено, що, для паралельної орієнтації зовнішнього магнітного поля відносно атомних шарів, в кристалах Bi93.99Mn6Fe0.01 магніторезистивний ефект у 6 разів більший ніж для перпендикулярної орієнтації поля. Показано, що наноалмази розміром від 10 до 50 нм, з функціональним покриттям з карбонільних і гідроксильних груп, а також наночастинки магнетиту (Fe3O4) або маггеміту (γ-Fe2O3) з протипухлинним антибіотиком доксорубіцином Опис продукції Автори роботи Клімов Володимир Вікторович Кудрявцев Юрій Володимирович Мельник Максим Петрович Немошкаленко Марина Володимирівна Шевченко Анатолій Дмитрович Додано в НРАТ 2021-03-02 Закрити