Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0223U003019, 0121U112031 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження радіаційної стійкості і впливу радіаційних дефектів при опроміненні частинками різних видів напівпровідникових структур InGaN Назва етапу роботи Керівник роботи Малий Євген Вікторович, Дата реєстрації 22-03-2023 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень Національної академії наук України Опис етапу У роботі досліджувались світлодіоди із квантовими ямами, виготовлені на основі твердого розчину InхGa1-хN. Проведені вимірювання вольт-амперних та електролюмінесцентних характеристик у межах Т = 77…300 K. На ВАХ в інтервалі 77…150 K виявлені ділянки від’ємного диференціального опору (ВДО), а також тонку структуру спектрів випромінювання. Наведені результати впливу опромінення електронами (Ее = 2 МеВ) на інтенсивність спектрів ЕЛ та квантовий вихід досліджуваних зразків; виявлені особливості температурних залежностей інтенсивності свічення опромінених світлодіодів. Для вивчення особливостей впливу потоків швидких частинок як нейтральних (γ, n), так і заряджених (електрони з Е = 2 МеВ) на достатньо складну неоднорідну напівпровідникову структуру з квантовими ямами InGaN/GaN було проведено опромінення зразків згаданими частинками. Проведено вимірювання випромінювальної здатності, вольт-амперних характеристик, зокрема спостережено низькотемпературні аномалії, які виникають на ВАХ світлодіодів InGaN/GaN при низьких температурах, вихідних та опромінених зразків. Опромінення швидкими частинками, як контрольований спосіб введення дефектів певного типу, може сприяти одержанню додаткової інформації про роль порушень структури у формуванні жовтої λ2мах=550нм та червоної λ3мах=770нм смуг спектру випромінювання при оцінці деградаційної константи основної лінії випромінювання hν=370нм. Спектр випромінювання досліджуваних УФ СД вирощених на основі розчину InxGa1-xN (х = 0,1) складається з трьох ділянок λ1мах = 370нм, λ2мах = 550нм , λ3мах = 770нм – перша з них, найінтенсивніша УФ – смуга, дві останні - жовта та червона майже на порядок слабкіші. УФ – свічення зумовлене міжрівневими переходами в області кя; дві інші лінії дефектного походження. Профіль їхньої високоенергетичної частини добре узгоджуються з класичними розподілами Лоренца і Гауса. Опис продукції Автори роботи Стратілат Дмитро Петрович Додано в НРАТ 2023-03-22 Закрити