Search academic texts

Information × Registration Number 0310U002715, 0109U001657 , R & D reports Title Development of communications apparatus on the basis of high-efficiency power amplifiers. popup.stage_title Розробка нових конструкцій підсилювачів класів Е і F та кільцевих ав-тогенераторів НВЧ на польових транзисторах з підвищеним ККД, вивчен-ня нелінійних перекручень при підсилені сигналів зі складним спектром. Розробка та експериментальне дослідження підсилювачів за схемою Догерті з використанням нових класів роботи транзисторів. Розробка підсилювача у складі трансівера (рідера) системи близькопольової комунікації. Head Vladimir G. Krizhanovski, Registration Date 31-05-2010 Organization Donetsk National University popup.description2 The improvement of class E design procedure, where field-effect transistor's on-resistance is taken into account was presented. The class E amplifier with SiC and GaN transistors was designed and experimentally investigated. The class F using SiC transistor and class E using GaAs MESFET transistor amplifiers with extended bandwidth where designed and modeled by the extended resonance technique. The algorithms were developed and numerical calcula-tions where carried out for the circuits based on periodic microstrip-slotline structures to provide harmonics filtering in high-efficiency power amplifiers output networks. Product Description popup.authors Макаров Денис Григорович Приліпська Ганна Сергіївна Рассохіна Юлія Валентинівна Чернов Дмитро Вікторович popup.nrat_date 2020-04-02 Close