Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0402U000940, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 25-03-2002 Статус Запланована Назва роботи Фототермоакустична та фотоелектрична мікроскопія напівпровідникових структур на основі кремнію Здобувач Кузьмич Андрій Григорович, Керівник Кучеров Іван Якович Опонент Новіков Микола Міколайович Опонент Прокопенко Георгій Іванович Опис В дисертаційній роботі, створеним комп'ютеризованим сумісним фототермоакустичним (ФТА) та фотоелектричним (ФЕ) мікроскопом, досліджено напівпровідникові структури кремнію: епітаксійні з різним типом провідності, імплантовані іонами бору та фосфору, а також пружно напружену область поблизу вершини тріщини в пластині кремнію. Отримані ФТА та ФЕ топограми. Проведено порівняльний аналіз ФТА і ФЕ зображень вказаних структур на основі якого встановлено, що візуалізація тепловими хвилями областей епітаксійного нарощування та іонної імплантації в структурах на основі кремнію зумовлена залишковими пружними напругами, які виникають в умовах технологічного циклу їх виготовлення; експериментально встановлена наявність просторової періодичності у розподілі механічних властивостей в околі вершини технологічної тріщини у р - кремнії з періодом "85 мкм; експериментально встановлено, що залежність величини ФТА сигналу від логарифма концентрації іонів бору та фосфору, що імплантовані у пластину кремнію, є лінійною при концентраціях іонів у межах 1,8 10в11 6 10в13 іон/см2 Дата реєстрації 2002-03-25 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити