Registration Number
0411U003926, Candidate dissertation
Status
к.т.н.
Date
31-05-2011
popup.evolution
.
Title
Influence of Strong Electric Fields on a Volt-Amper Description of Semiconductor Devices.
Author
Losiev Fedir Volodymyrovych,
popup.head Kravchenko Vladymyr Ivanovych
popup.opponent Старостєнко Володимир Вікторович
popup.opponent Лєдєньов Володимир Васильович
popup.opponent Резинкін Олег Лук'янович
popup.rada
The Kharkov state polytechnical university
Description
Об'єктом дослідження є фізичні процеси появи та розвитку оборотних відмов напівпровідникових приладів, обумовлених впливом струмів, наведених зовнішнім електромагнітним випромінюванням. Предметом дослідження є вольт-амперні характеристики напівпровідникових приладів (діодів) в умовах дії зовнішнього імпульсного електромагнітного випромінювання у галузі оборотних відмов. Методи дослідження. При визначенні фізичних механізмів оборотних відмов напівпровідникових приладів та отриманні розрахункових співвідношень для їх кількісних характеристик у роботі застосовувались аналітичні методи розв'язання системи рівняннь Максвела для обмежених твердотільних структур у рамках гідродинамічного та кінетичного наближень. Експериментальні дослідження оборотних відмов напівпровідникових приладів були проведені на базі повірної схеми, встановленої міждержавним стандартом "Государственная поверочная схема для средств измерения максимальных значений напряженностей импульсных электрических и магнитных полей ГОСТ 8.540-93 ", побудованого у НДПКІ "Молнія" НТУ "ХПІ" (високовольтна імпульсна установка Еталон - РЕМП); теоретичні і практичні результати - розроблена фізична модель появи одного з типів оборотних відмов напівпровідникової елементної бази електрорадіовиробів, яка заснована на взаємодії струмів, наведених зовнішнім імпульсним електромагнітним випромінюванням, з власними коливаннями напівпровідникових структур, комплектуючих електрорадіовироби. Показано, що дана взаємодія приводить до енергетичних втрат наведених струмів на збудження власних електромагнітних коливань напівпровідникової структури (режиму генерації коливань) та характеризується змінами вольт-амперних характеристик напвпровідникових приладів (появі оборотних відмов); новизна - в аналітичному вигляді вперше отримано розрахункові співвідношення, що визначають ступінь відхилення вольт-амперних характеристик напівпровідникових приладів в залежності від фізичних властивостей матеріалів, що комплектують прилад та параметрів зовнішнього електромагнітного впливу. Порівняльний аналіз кількісних характеристик оборотних відмов в залежності від просторової оріентації діючого імпульсного електромагнітного поля відносно напівпровідникового приладу (наведений струм направлений вздовж або по нормалі до межі), дозволяє вирішувати задачі оптимізації можливого ступеню відхилення робочіх характеристик напівпровідникових приладів; ступінь впровадження- Результати роботи впроваджені в Інституті Радіофізики та електроніки НАН України у рамках держбюджетних науково-дослідних робіт МОН України: "Дослідження лінійних та нелінійних твердотільних структур з застосуванням електромагнітних хвиль НВЧ діапазону та заряджених частинок" (ДР № 01061U011978) та в навчальному процесі на кафедрі "Системи інформації" НТУ "ХПІ";сфера використання - радіофізика.
Registration Date
2011-06-21
popup.nrat_date
2020-04-04 / 2026-06-30
