Search academic texts

Information × Registration Number 0414U000793, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 26-03-2014 popup.evolution o Title Cathode contacts with TiBx diffusion barriers for indium phosphide Gunn diodes Author Novitskii Sergey Vadimovich, popup.head Konakova Raisa Vasil'evna popup.opponent Марченко Олександр Анатолійович popup.opponent Сліпченко Микола Іванович Description Дисертація присвячена дослідженню фізичних процесів, що відбуваються під дією зовнішніх впливів у багатошарових омічних контактах до n-InP з дифузійним бар'єром TiBx. В якості зовнішніх впливів використовувалися мікрохвильова обробка, швидка термічна обробка (ШТО) та гамма-опромінення ^60Со. Встановлено, що омічні контакти Au-TiBx-Ge-Au-n-n+-n++-InP, сформовані магнетронним напиленням з наступною ШТО при температурі 450 °С, зберігають свою структуру і величину питомого контактного опору при робочих температурах діода Ганна. Під дією гамма-опромінення ^60Со до дози 10^7 Гр в контактах, заздалегідь підданих ШТО при T=400 °С, спостерігаються процеси деградації внаслідок дифузії кисню крізь плівку TiBx. Вперше була отримана зростаюча температурна залежність питомого контактного опору омічного контакту Au-Ge-TiBx-Au до n-n+-n++-InP в діапазоні температур 80-380 К, яка була пояснена струмопроходженням по металевих шунтах, які проросли крізь дислокації і замикають ОПЗ, з урахуванням обмеження протікаючого струму дифузійним підведенням електронів. Registration Date 2014-03-26 popup.nrat_date 2020-04-04 Close