Search academic texts

Information × Registration Number 0415U001419, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 26-02-2015 popup.evolution o Title Galvano-magnetic phenomena in the selectively doped heterostructures AlGaAs/GaAs and InGaAs/GaAs. Author Pylypchuk Oleksandr Sergijovych, popup.head Vainberg Viktor Vladimirovich popup.opponent Назаров Олексій Миколайович popup.opponent Крупа Микола Миколайович Description Експериментально досліджені механізми переносу носіїв струму в квантових ямах селективно легованих багатоперіодних структур AlGaAs/GaAs/AlGaAs та GaAs/InGaAs/GaAs з одиночними та тунельно-зв'язаними ямами. Дослідження проведені в діапазоні температур 4-300 К, у рівноважних умовах та при розігріві носіїв латеральним електричним полем. Досліджені температурні залежності ефекту Холла, провідності, польові залежності магнітоопору. Встановлено, що при розміщенні легуючої домішки в квантовій ямі латеральна провідність у таких структурах зумовлена провідністю по квантоворозмірних підзонах і по домішковій зоні. Внаслідок цього рухливість в одиночних квантових ямах є малою і збільшується із зростанням концентрації легуючої домішки. Для подвійних тунельно-зв'язаних ям спостерігається провал у температурній залежності холлівської рухливості. Визначено вплив провідності по домішкових дельта-шарах для структур AlGaAs/GaAs/AlGaAs з одиночними квантовими ямами і дельта-легованими бар'єрами на ефекти в магнітних полях. Встановлено, що величина низькотемпературної рухливості електронів у домішкових квантових ямах нижча, ніж в одиночних дельта-ямах. Досліджено вплив ефекту перерозподілу електронів між областями з різною рухливістю електронів на нелінійність вольт-амперних характеристик таких тунельно-зв'язаних пар як "структурна квантова яма - домішкова дельта яма у бар'єрі" та "структурна квантова яма- фрагмент надґратки". Registration Date 2015-02-26 popup.nrat_date 2020-04-03 Close