Search academic texts

Information × Registration Number 0419U004506, Candidate dissertation Status Кандидат технічних наук Date 15-10-2019 popup.evolution o Title Ohmic and injecting barrier transitions to gallium arsenide Author Dmytriiev Vadym Serhiiovych, popup.head Shvets Yevhenii Jakovitch popup.opponent Krukovskyi Semen popup.opponent Ivashchuk Anatolii Vasylovych Description Дисертаційну роботу присвячено розробці технології відтворюваного отримання омічних та інжектуючих бар’єрних переходів на основі срібла до арсеніду галію n-типу провідності. Розроблено технологію відтворюваного отримання омічних контактів Ag-Ge-In/n-n+GaAs, яка забезпечує лінійну ВАХ, коефіцієнт інжекції γ=0,07…0,00, контактний опір (5…7)∙10-5 Ом∙см2. Розроблено технологію відтворюваного отримання інжектуючих бар`єрних переходів Ag/n-n+GaAs з висотою потенційного бар’єру 0,98 В, коефіцієнтом інжекції γ =10-8, коефіцієнтом неідеальності η=1,087. Розроблені технології нанесення контактного матеріалу та режимів термообробки при створенні омічних та інжектуючих бар’єрних переходів рекомендуються до використання при виготовленні багатоелектродного МЕП-приладу з розширеними функціональними можливостями, до складу якого входять керуючі електроди, розташовані над областю розповсюдження біжучої хвилі. Ключові слова: GaAs, омічні та інжектуючі бар’єрні переходи, коефіцієнт інжекції, срібло, потрійний сплав, МЕП-прилад. Registration Date 2019-10-15 popup.nrat_date 2020-04-03 Close