Реєстраційний номер
0496U001450, Кандидатська дисертація
На здобуття
к.ф.-м.н.
Дата захисту
20-09-1996
Статус
Захищена
Назва роботи
Оптимизация структурных и физических характеристик эпитаксиальных слоев на основе соединений А4В6 для фотоэлектрических элементов инфракрасной области спектра
Здобувач
Добровольская Анна Михайловна,
Керівник Фреик Д.М.
Опонент Буджак Я.С.
Опонент Фодчук И.М.
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Черновицкий государственный университет им. Юрия Федьковича
Опис
Объект исследования: Эпитаксиальные шары теллурида свинца и олова и их твердого раствора, а также фотоприемники на их основе. Цель исследования: Оптимизировать технологию выращивания исследуемых слоев с целью изготовления на их основе фотоприемников. Методы исследования и аппаратура: Метод математического планирования многофакторных экспериментов. Теоретические результаты и новизна: Аналитические зависимости электрофизических и фотоэлектрических параметров слоев от технологических факторов их выращивания. Практические результаты и новизна: Получены оптимизированные по параметрам эпитаксиальные слои для изготовления на их основе фотоприемников. Предмет и степень внедрения: Методика программированного расчета параметров фотоприемников. Эффективность внедрения: Оптимизация технологии выращивания материалов для фотоприемников. Сфера (область) использования: Технология приборов для оптикоэлектроники.
Дата реєстрації
1998-08-13
Додано/оновлено в НРАТ
2020-05-18 / 2026-06-30
