Search academic texts

Information × Registration Number 0497U000789, Candidate dissertation Status Date 18-04-1997 popup.evolution o Title Author Литвин Петр Марьянович, popup.head Прокопенко И.В. popup.head Крыштаб Т.Г. popup.opponent Ширшов Ю.М. popup.opponent Кисловский Е.Н. Description Объект исследования: Монокристаллы и эпитаксиальные системы (ЕС) на основе GaAs. Цель исследования: Изучение механизмов формирования ЕС при разных методах выращивания и перестройки дефектной структуры по внешними воздействиями, путем развития и усовершенствования методов исследования. Методы исследования и аппаратура: Рентгенодифракционные методы, магнетрон, кобальтовая пушка6 ультразвуковой генератор. Теоретические результаты и новизна: Исследованы механизмы формирования структуры ЕС, полученных различными методами, развиты физические представления о перестройке дефектной структуры монокристаллов и ЕС под внешними воздействиями. Практические результаты и новизна: Развиты и усовершенствованы методы исследования; установлена оптимальная концентрация иттербия в расплаве при выращивании ЖФЭ, показана возможность применения мощного СВЧ поля для отжига структурных дефектов и уменьшения уровня напряжений в материале. Предмет и степень внедрения: Оптимизированы Условия ЖФЭ при использовании иттербия; быстропротекающий СВЧ отжиг; методы диагностики. Эффективность внедрения: Повышение эффективности и информативности неразрушающей структурной диагностики полупроводниковых материалов, повышение структурной однородности и радиационной стойкости ЕС, полученных ЖФЭ. Сфера (область) использования: Научноисследовательские организации и предприятия, работающие в области полупроводниковой электроники. Registration Date 1997-04-18 popup.nrat_date 2020-05-17 Close