Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2122U003778, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Бакалаврська робота Назва роботи Приладово-технологічне моделювання FET’s транзисторів на основі нанострічок Автор Дата публікації 01-01-2022 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/88130 Видання Конотопський інститут Сумського державного університету Опис Об’єктом дослiдження квалiфiкацiйної роботи є особливості транспорту носiїв заряду польових транзисторiв з каналами у виглядi нанострічок. Мета роботи полягає у дослiдженнi впливу масштабування на електричні параметри польових транзисторiв з каналами у виглядi 2D напівпровідників. Робота складається iз вступу, трьох роздiлiв основної частини та висновкiв. У першому роздiлi наведено огляд характеристик транзисторів із каналами у вигляді 2D напівпровідників. У другому роздiлi розглядається методика моделювання структур польового транзистора з каналом у вигляді MoS2 за допомогою програмного середовища Silvaco TCAD та відповідний програмний код. У третьому роздiлi наведено результати дослідження робочих характеристик польового транзистора з каналом у вигляді MoS2, отриманi результати свідчать про бiльш високу їх продуктивність, ніж приладів з каналами у вигляді вуглецевих нанотрубок. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити