Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2123U003356, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Бакалаврська робота Назва роботи Вплив параметрів низькоенергетичного йонного опромінення на структуру та фазовий склад нанорозмірних плівок Ni/Cu/Cr Автор Гаврилів Михайло Віталійович Дата публікації 01-01-2023 Постачальник інформації Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Першоджерело https://ela.kpi.ua/handle/123456789/58986 Видання Київ Опис Об’єкт досліджень: тонкоплівкові композиції Ni/Cu/Cr з товщиною кожного шару 25 нм, осаджені на підкладки монокристалічного кремнію методом магнетронного розпорошення. Предмет дослідження: зміни структури, фазового та хімічного складу тонкоплівкових систем під час низькоенергетичного йонного опромінення. Мета роботи: встановлення впливу енергії, густини струму та тривалості низькоенергетичного йонного опромінення на структуру, фазовий та хімічний склад нанорозмірних систем Ni/Cu/Cr. Методи дослідження: рентгеноструктурний аналіз, Оже-електронна спектроскопія, скануюча електронна мікроскопія. Результати досліджень та їх новизна: Встановлено, що фазовий склад вихідної системи не змінюється за всіх використаних режимів йонної обробки. Визначено, що збільшення густини йонного струму з 4 мкА до 8⁠ мкА обумовлює більш інтенсивне розпорошення верхнього шару Ni, зменшення розміру його зерна, а також підвищення концентрації в проміжному шарі Cu. Встановлено, що підвищення енергії йонного пучка з 800 еВ до 1400 еВ призводить до утворення структурних дефектів в проміжному шарі. Показано, що для модифікації досліджуваних наноматеріалів більш доцільним є проведення йонної обробки з меншою енергією та більшою густиною струму. Додано в НРАТ 2025-01-29 Закрити
Матеріали
Бакалаврська робота
Гаврилів Михайло Віталійович. Вплив параметрів низькоенергетичного йонного опромінення на структуру та фазовий склад нанорозмірних плівок Ni/Cu/Cr : публікація 2023-01-01; Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», 2123U003356
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-17