Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2123U007548, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Бакалаврська робота Назва роботи Чисельне моделювання структури та характеристик транзисторів на основі двовимірних наноматеріалів Автор Дата публікації 01-01-2023 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92191 Видання Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету" Опис Обгрунтуванням актуальності теми є потенціал застосування двовимірних наноматеріалів в електроніці через їх унікальні фізичні властивості. Мета роботи полягає у вивченні та застосуванні чисельних методів для моделювання структури та електронних характеристик транзисторів із каналом на основі двовимірних наноматеріалів. Відповідно до мети, вирішувалися такі задачі: - вивчення моделей, які враховують особливості транспорту носіїв у 2D-матеріалах; - аналіз потенційних застосувань 2D-матеріалів у приладобудуванні При виконанні даної роботи 2D-матеріалів використовувалися методи чисельного моделювання структури та характеристик польових транзисторів із каналами на основі двовимірних наноматеріалів. Результати дослідження показали, що транзистори із каналом на основі молібден сульфіду та інших мають великий потенціал для поліпшення робочих характеристик порівняно з традиційними транзисторами. Вони відзначаються високою швидкістю роботи, низькою енергоспоживанням та великими коефіцієнтами підсилення. Отримані результати є важливим внеском у розуміння та розвиток нових технологій транзисторів на основі двовимірних наноматеріалів. Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є фізичні процеси в польових транзисторах на основі двовимірних наноматеріалів. Предмет досліджень комп’ютерне моделювання структури та характеристик транзисторів на основі двовимірних наноматеріалів. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити