How to use the search function
17 documents found
Article
Стаття
Radiation-hardened memory device based on a chalcogenide glassy semiconductor
Кичак В. М.. Radiation-hardened memory device based on a chalcogenide glassy semiconductor : published. 2022-10-11; Вінницький національний технічний університет, 2122U008973
Article
Стаття
Programming speed of non-volatile memory based on a FPGA
Слободян І. В.. Programming speed of non-volatile memory based on a FPGA : published. 2016-01-21; Вінницький національний технічний університет, 2116U010385
Article
Тези
Design and technological methods for increasing the radiation hardness of a memory device based on MOS-chalcogenide glassy semiconductors
Кичак В. М.. Design and technological methods for increasing the radiation hardness of a memory device based on MOS-chalcogenide glassy semiconductors : published. 2021-01-01; Вінницький національний технічний університет, 2121U011699
Article
Стаття
Evaluation of the switch parameters of the memory cell based on the amorphous semiconductor material
Кичак В. М.. Evaluation of the switch parameters of the memory cell based on the amorphous semiconductor material : published. 2014-02-06; Вінницький національний технічний університет, 2114U009319
Article
Тези
Organization and structure of memory arrays based on the Fibonacci number system
Слободян І. В.. Organization and structure of memory arrays based on the Fibonacci number system : published. 2017-01-01; Вінницький національний технічний університет, 2117U010517
Article
Тези
Organization and structure of memory arrays based on the Fibonacci number system
Слободян І. В.. Organization and structure of memory arrays based on the Fibonacci number system : published. 2017-01-01; Вінницький національний технічний університет, 2117U009943
Article
Тези
A device for programming a memory element based on chalcogenide glassy semiconductors
Слободян І. В.. A device for programming a memory element based on chalcogenide glassy semiconductors : published. 2016-03-01; Вінницький національний технічний університет, 2116U009235
Article
Тези
The device for reading-record information of chalcogenide element of memory cell
Слободян І. В.. The device for reading-record information of chalcogenide element of memory cell : published. 2015-01-01; Вінницький національний технічний університет, 2115U008466
Article
Стаття
The device for reading-record information of nonvolatile memory cell based on chalcogenide glassy semiconductor
Слободян І. В.. The device for reading-record information of nonvolatile memory cell based on chalcogenide glassy semiconductor : published. 2015-01-01; Вінницький національний технічний університет, 2115U008465
Article
Тези
The evaluation of depending time of delay switching from temperature and concentration of trap capture in memory cell based on chalcogenide glassy semiconductor.
Кичак В. М.. The evaluation of depending time of delay switching from temperature and concentration of trap capture in memory cell based on chalcogenide glassy semiconductor. : published. 2013-01-01; Вінницький національний технічний університет, 2113U010389
17 documents found

Updated: 2026-11-05


Роздрукувати цю сторінку