Реєстраційний номер
2121U011699, Матеріали видань та локальних репозитаріїв
Категорія
Тези
Назва роботи
Конструктивно-технологічні методи підвищення радіаційної стійкості запам`ятовуючого пристрою на базі МОН-ХСН
Автор
Кичак В. М.
Слободян І. В.
Вовк В. Л.
Kychak V. M.
Slobodyan I. V.
Vovk V. L.
Дата публікації
01-01-2021
Постачальник інформації
Вінницький національний технічний університет
Першоджерело
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/34693
Видання
Вінницький національний технічний університет
Опис
У даній роботі запропоновано три конструктивно-технологічні методи підвищення радіаційної стійкості запам`ятовуючого пристрою на базі МОН-ХСН. Суть першого методу зводиться до використання двошарового охоронного кільця, легування підзаслінного шару напівпровідника іонами флуора та застосування як підзаслінного шару діелектрика нітріду кремнію. Суть другого методу зводиться до застосування елементів розв`язки тонкоплівкових транзисторів на базі аморфних напівпровідників. А суть третього – використання як елементів розв`язки тонкоплівкових польових транзисторів на базі АН та елемента перемикання на базі ХСН.
Додано/оновлено в НРАТ
2026-11-02
