Як користуватися пошуком
Знайдено документів: 16
Матеріали
Стаття
Швидкість програмування енергонезалежної пам’яті на базі хсн
Слободян І. В.. Швидкість програмування енергонезалежної пам’яті на базі хсн : публікація 2016-01-21; Вінницький національний технічний університет, 2116U010385
Матеріали
Тези
Конструктивно-технологічні методи підвищення радіаційної стійкості запам`ятовуючого пристрою на базі МОН-ХСН
Кичак В. М.. Конструктивно-технологічні методи підвищення радіаційної стійкості запам`ятовуючого пристрою на базі МОН-ХСН : публікація 2021-01-01; Вінницький національний технічний університет, 2121U011699
Матеріали
Стаття
Оцінювання параметрів перемикання комірки пам’яті на базі аморфних напівпровідників Evaluation of the switch parameters of the memory cell based on the amorphous semiconductor material Оценка параметров переключения ячейки памяти на базе аморфных полупроводников
Кичак В. М.. Оцінювання параметрів перемикання комірки пам’яті на базі аморфних напівпровідників Evaluation of the switch parameters of the memory cell based on the amorphous semiconductor material Оценка параметров переключения ячейки памяти на базе аморфных полупроводников : публікація 2014-02-06; Вінницький національний технічний університет, 2114U009319
Матеріали
Тези
Організація та структура матриць пам’яті на базі хсн
Слободян І. В.. Організація та структура матриць пам’яті на базі хсн : публікація 2017-01-01; Вінницький національний технічний університет, 2117U010517
Матеріали
Тези
Організація та структура матриць пам’яті на базі ХСН
Слободян І. В.. Організація та структура матриць пам’яті на базі ХСН : публікація 2017-01-01; Вінницький національний технічний університет, 2117U009943
Матеріали
Тези
Пристрій для програмування елемента пам‘яті на базі ХСН
Слободян І. В.. Пристрій для програмування елемента пам‘яті на базі ХСН : публікація 2016-03-01; Вінницький національний технічний університет, 2116U009235
Матеріали
Тези
Пристрій для запису/читання інформації халькогенідного елемента цифрової пам’яті The device for reading-record information of chalcogenide element of memory cell
Слободян І. В.. Пристрій для запису/читання інформації халькогенідного елемента цифрової пам’яті The device for reading-record information of chalcogenide element of memory cell : публікація 2015-01-01; Вінницький національний технічний університет, 2115U008466
Матеріали
Стаття
Пристрій для читання –запису інформації енергонезалежної комірки пам’яті на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника The device for reading-record information of nonvolatile memory cell based on chalcogenide glassy semiconductor
Слободян І. В.. Пристрій для читання –запису інформації енергонезалежної комірки пам’яті на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника The device for reading-record information of nonvolatile memory cell based on chalcogenide glassy semiconductor : публікація 2015-01-01; Вінницький національний технічний університет, 2115U008465
Матеріали
Тези
Оцінювання залежності часу затримки від температури та концентрації пасток захоплення в комірці пам’яті на базі ХСН The evaluation of depending time of delay switching from temperature and concentration of trap capture in memory cell based on chalcogenide glassy semiconductor.
Кичак В. М.. Оцінювання залежності часу затримки від температури та концентрації пасток захоплення в комірці пам’яті на базі ХСН The evaluation of depending time of delay switching from temperature and concentration of trap capture in memory cell based on chalcogenide glassy semiconductor. : публікація 2013-01-01; Вінницький національний технічний університет, 2113U010389
Матеріали
Тези
Дослідження зміни часу перемикання комірки пам’яті на базі ХСН від товщини плівки та перенапруження у зразку Research of switching time of memory cells based on chalcogenide glassy semiconductor from the film thickness and strain in the sample
Кичак В. М.. Дослідження зміни часу перемикання комірки пам’яті на базі ХСН від товщини плівки та перенапруження у зразку Research of switching time of memory cells based on chalcogenide glassy semiconductor from the film thickness and strain in the sample : публікація 2012-01-01; Вінницький національний технічний університет, 2112U007400
Знайдено документів: 16

Оновлено: 2026-11-04


Роздрукувати цю сторінку