Реєстраційний номер
2112U007400, Матеріали видань та локальних репозитаріїв
Категорія
Тези
Назва роботи
Дослідження зміни часу перемикання комірки пам’яті на базі ХСН від товщини плівки та перенапруження у зразку
Research of switching time of memory cells based on chalcogenide glassy semiconductor from the film thickness and strain in the sample
Автор
Кичак В. М.
Слободян І. В.
Kychak V. M.
Slobodyan I. V.
Kychak V. M.
Slobodyan I. V.
Дата публікації
01-01-2012
Постачальник інформації
Вінницький національний технічний університет
Першоджерело
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/15234
Видання
Хмельницький національний університет
Опис
На основі емісійної моделі зміни фаз плівки халькогенідного склоподібного напівпровідника (ХСН) у комірці пам’яті розраховано та побудовано графік залежності часу перемикання від товщини зразка при різних значеннях рухливості дірок з якого випливає, що при збільшенні товщини плівки час перемикання нелінійно зростає і залежить від типу матеріалу – при незначному збільшенні рухливості дірок різко зменшується. Також продемонстровано різке зменшення часу перемикання при перевищенні порогової напруги, причому при зменшенні температури ця залежність зростає. Важливість отриманих результатів в тому, що вони збігаються з експериментальними. Це дає можливість покращити моделювання процесів у плівках ХСН, що використовуються у запам’ятовуючих пристроях.
Додано/оновлено в НРАТ
2026-10-30
