Registration Number
2112U007400, Article
popup.category
Тези
Title
Research of switching time of memory cells based on chalcogenide glassy semiconductor from the film thickness and strain in the sample
popup.author
Кичак В. М.
Слободян І. В.
Kychak V. M.
Slobodyan I. V.
Kychak V. M.
Slobodyan I. V.
popup.publication
01-01-2012
popup.source_user
Вінницький національний технічний університет
popup.source
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/15234
popup.publisher
Хмельницький національний університет
Description
На основі емісійної моделі зміни фаз плівки халькогенідного склоподібного напівпровідника (ХСН) у комірці пам’яті розраховано та побудовано графік залежності часу перемикання від товщини зразка при різних значеннях рухливості дірок з якого випливає, що при збільшенні товщини плівки час перемикання нелінійно зростає і залежить від типу матеріалу – при незначному збільшенні рухливості дірок різко зменшується. Також продемонстровано різке зменшення часу перемикання при перевищенні порогової напруги, причому при зменшенні температури ця залежність зростає. Важливість отриманих результатів в тому, що вони збігаються з експериментальними. Це дає можливість покращити моделювання процесів у плівках ХСН, що використовуються у запам’ятовуючих пристроях.
popup.nrat_date
2026-10-30
