Реєстраційний номер
2113U010389, Матеріали видань та локальних репозитаріїв
Категорія
Тези
Назва роботи
Оцінювання залежності часу затримки від температури та концентрації пасток захоплення в комірці пам’яті на базі ХСН
The evaluation of depending time of delay switching from temperature and concentration of trap capture in memory cell based on chalcogenide glassy semiconductor.
Автор
Кичак В. М.
Слободян І. В.
Kychak V. M.
Slobodyan I. V.
Kychak V. M.
Slobodyan I. V.
Дата публікації
01-01-2013
Постачальник інформації
Вінницький національний технічний університет
Першоджерело
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/15236
Видання
Одеська національна академія зв' язку ім О. С. Попова
Опис
Проведені дослідження показують, що при збільшенні температури час затримки перемикання комірки пам’яті на базі ХСН нелінійно зростає, причому, чим більший іонізаційний бар’єр, тим повільніше відбувається зростання. Встановлено, що при збільшенні ефективної рухливості дірок відбувається різке зменшення часу затримки. Також виявлено, що мінімальний час затримки спостерігається лише на певному проміжку концентрації пасток, а їх подальше зменшення веде до різкого нелінійного збільшення цього часу. При зростанні концентрації пасток час затримки стабільно, лінійно збільшується. Отримані результати збігаються із експериментальними і це дає можливість покращити математичне моделювання фізичних процесів, що відбуваються у комірках пам’яті на базі ХСН.
Додано/оновлено в НРАТ
2026-10-30
