Registration Number
2113U010389, Article
popup.category
Тези
Title
The evaluation of depending time of delay switching from temperature and concentration of trap capture in memory cell based on chalcogenide glassy semiconductor.
popup.author
Кичак В. М.
Слободян І. В.
Kychak V. M.
Slobodyan I. V.
Kychak V. M.
Slobodyan I. V.
popup.publication
01-01-2013
popup.source_user
Вінницький національний технічний університет
popup.source
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/15236
popup.publisher
Одеська національна академія зв' язку ім О. С. Попова
Description
Проведені дослідження показують, що при збільшенні температури час затримки перемикання комірки пам’яті на базі ХСН нелінійно зростає, причому, чим більший іонізаційний бар’єр, тим повільніше відбувається зростання. Встановлено, що при збільшенні ефективної рухливості дірок відбувається різке зменшення часу затримки. Також виявлено, що мінімальний час затримки спостерігається лише на певному проміжку концентрації пасток, а їх подальше зменшення веде до різкого нелінійного збільшення цього часу. При зростанні концентрації пасток час затримки стабільно, лінійно збільшується. Отримані результати збігаються із експериментальними і це дає можливість покращити математичне моделювання фізичних процесів, що відбуваються у комірках пам’яті на базі ХСН.
popup.nrat_date
2026-10-30
