Registration Number
2121U011699, Article
popup.category
Тези
Title
Design and technological methods for increasing the radiation hardness of a memory device based on MOS-chalcogenide glassy semiconductors
popup.author
Кичак В. М.
Слободян І. В.
Вовк В. Л.
Kychak V. M.
Slobodyan I. V.
Vovk V. L.
popup.publication
01-01-2021
popup.source_user
Вінницький національний технічний університет
popup.source
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/34693
popup.publisher
Вінницький національний технічний університет
Description
У даній роботі запропоновано три конструктивно-технологічні методи підвищення радіаційної стійкості запам`ятовуючого пристрою на базі МОН-ХСН. Суть першого методу зводиться до використання двошарового охоронного кільця, легування підзаслінного шару напівпровідника іонами флуора та застосування як підзаслінного шару діелектрика нітріду кремнію. Суть другого методу зводиться до застосування елементів розв`язки тонкоплівкових транзисторів на базі аморфних напівпровідників. А суть третього – використання як елементів розв`язки тонкоплівкових польових транзисторів на базі АН та елемента перемикання на базі ХСН.
popup.nrat_date
2026-11-02
