Розробка вимог до виготовлення напівпровідникових монокристалічних алмазних пластин розмірами до 6–10 мм та товщиною 0,5–1 мм з епітаксійними шарами легованого бором CVD-алмазу, призначених для використання в якості  функціональних елементів діодів Шотткі, включно з визначенням геометричних параметрів, рівня легування, вимог до якості поверхні, електрофізичних характеристик та умов формування омічних та бар’єрних контактів.

Стрельчук Віктор Васильович

search.res_rk

Development of requirements for the fabrication of semiconductor single-crystal diamond plates with dimensions up to 6–10 mm and a thickness of 0.5–1 mm with epitaxial layers of boron-doped CVD diamond, intended for use as functional elements of Schottky diodes, including determination of geometric parameters, doping level, surface quality requirements, electrophysical characteristics, and conditions for the formation of ohmic and barrier contacts.

Head: Viktor V. Strelchuk. Development of requirements for the fabrication of semiconductor single-crystal diamond plates with dimensions up to 6–10 mm and a thickness of 0.5–1 mm with epitaxial layers of boron-doped CVD diamond, intended for use as functional elements of Schottky diodes, including determination of geometric parameters, doping level, surface quality requirements, electrophysical characteristics, and conditions for the formation of ohmic and barrier contacts.. V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine. № 0126U003514

Updated: 2026-10-21

Роздрукувати цю сторінку