Реєстраційна картка науково-дослідної роботи. Стрельчук Віктор Васильович. Розробка вимог до виготовлення напівпровідникових монокристалічних алмазних пластин розмірами до 6–10 мм та товщиною 0,5–1 мм з епітаксійними шарами легованого бором CVD-алмазу, призначених для використання в якості функціональних елементів діодів Шотткі, включно з визначенням геометричних параметрів, рівня легування, вимог до якості поверхні, електрофізичних характеристик та умов формування омічних та бар’єрних контактів.

Реєстраційний номер

0126U003514, Науково-дослідна робота

Назва роботи

Розробка вимог до виготовлення напівпровідникових монокристалічних алмазних пластин розмірами до 6–10 мм та товщиною 0,5–1 мм з епітаксійними шарами легованого бором CVD-алмазу, призначених для використання в якості функціональних елементів діодів Шотткі, включно з визначенням геометричних параметрів, рівня легування, вимог до якості поверхні, електрофізичних характеристик та умов формування омічних та бар’єрних контактів.

Керівник роботи

Стрельчук Віктор Васильович, Доктор фізико-математичних наук

Дата реєстрації

15-04-2026

Організація виконавець

Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України

Опис роботи

Розроблення науково обґрунтованих вимог до виготовлення напівпровідникових монокристалічних HPHT-алмазних пластин з епітаксійними шарами легованого бором CVD-алмазу, придатних для використання як функціональних елементів діодів Шотткі, включаючи визначення оптимальних геометричних параметрів, рівня легування, вимог до якості поверхні, електрофізичних характеристик, а також умов формування омічних і бар’єрних контактів з урахуванням впливу дефектно-домішкової структури матеріалу на експлуатаційні характеристики приладів.

Додано/оновлено в НРАТ

2026-04-15