Звіт по науково-дослідній роботі. Баранський П.І.. Комплексні дослідження впливу міждефектної взаємодії в кристалах Si, Ge, GaAs, КРТ і МРТ на кінетику електронних процесів в термодинамічно рівноважних і нерівноважних умовах.

Registration Number

0200U001276, 0195U024512 , R & D reports

Title

Complex investigations of interdefects interaction in Si, Ge, GaAs, CdHgTe, MnHgTe crystals on kinetics of electron processes of thermodynamic equilibrium and nonequilibrium conditions

popup.stage_title

Head

Barans'kyj P.I.,

Registration Date

02-02-2000

Organization

Institute of Semiconductor Physics

popup.description2

In this account is an attempt to describe our results in the study of transport phenomena, structural perfections, photoconductivity and photoluminescence in technically important semiconductors, such as Si, Ge, GaAs, CdHgTe, MnHgTe at different external conditions ( at different values of T, H, E etc.)

Product Description

popup.authors

popup.nrat_date

2020-04-03