Звіт по науково-дослідній роботі. Баранський П.І.. Комплексні дослідження впливу міждефектної взаємодії в кристалах Si, Ge, GaAs, КРТ і МРТ на кінетику електронних процесів в термодинамічно рівноважних і нерівноважних умовах.

Реєстраційний номер

0200U001276, 0195U024512 , Науково-дослідна робота

Назва роботи

Комплексні дослідження впливу міждефектної взаємодії в кристалах Si, Ge, GaAs, КРТ і МРТ на кінетику електронних процесів в термодинамічно рівноважних і нерівноважних умовах.

Назва етапу роботи

Керівник роботи

Баранський П.І.,

Дата реєстрації

02-02-2000

Організація виконавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Опис етапу

В цьому звіті зроблено спробу описати результати досліджень транспортних явищ, структурної досконалості , фотопровідності та фотолюмінесценції в технічно актуальних напівпровідниках, таких як Si, Ge, GaAs, CdHgTe, MnHgTe при різних зовнішніх умовах ( за значеннями Т, Н, Е та ін.).

Опис продукції

Автори роботи

Додано/оновлено в НРАТ

2020-04-03