Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0200U001276, 0195U024512 , Науково-дослідна робота Назва роботи Комплексні дослідження впливу міждефектної взаємодії в кристалах Si, Ge, GaAs, КРТ і МРТ на кінетику електронних процесів в термодинамічно рівноважних і нерівноважних умовах. Назва етапу роботи Керівник роботи Баранський П.І., Дата реєстрації 02-02-2000 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу В цьому звіті зроблено спробу описати результати досліджень транспортних явищ, структурної досконалості , фотопровідності та фотолюмінесценції в технічно актуальних напівпровідниках, таких як Si, Ge, GaAs, CdHgTe, MnHgTe при різних зовнішніх умовах ( за значеннями Т, Н, Е та ін.). Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити