Registration Number
0215U000031,
0111U006452
, R & D reports
Title
3.Development of physico-technological basis for manufacturing of components A3N nanoelectronics devices for optoelectronics and microwave technique
popup.stage_title
Head
Belyaev Alexandr, Доктор фізико-математичних наук
Registration Date
15-01-2015
Organization
Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukrain
popup.description2
3.Technology route for manufacturing microwave diode based on III-Nitrides has been elaborated: contact metallization fabrication, heat sink formation, diode's mesa manufacturing. Gunn diode has been made with n+-n-n+ GaN epitaxial structure grown on heavy doped 4Н-SiC substrate by HVPE with horizontal reactor. Parameters obtained provided the diode's power of 200 mW at frequency of 200 GHz with matched load in persistent regime.
Product Description
popup.authors
Алейніков Андрій Борисович
Захаренко Оксана Миколаївна
Кладько Василь Петрович
Коломис Олександр Федорович
Конакова Раїса Василівна
Кочелап Вячеслав Олександрович
Кучук Андріан Володимирович
Наумов Андрій Вадимович
Райчева Валентина Григорівна
Рудзінський Віктор Станіславович
Стрільчук Віктор Васильович
popup.nrat_date
2020-04-02
