Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0215U000031, 0111U006452 , Науково-дослідна робота Назва роботи 1.Розробка фізико-технологічних основ виготовлення компонентів наноелектронних АЗN-приладів для оптоелектроніки та НВЧ-техніки Назва етапу роботи Керівник роботи Бєляєв Олександр Євгенович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 15-01-2015 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу 1.Розроблено технологічний маршрут виготовлення мікрохвильового діоду міліметрового діапазону довжин хвиль на основі нітридів III групи, а саме, нанесення контактної металізації, створення тепловідводу, виготовлення мези діоду. Діод Ганна був виконаний на основі епітаксійної структури n+-n-n+ GaN, яка була вирощена методом хлоридної газофазної епітаксії на установці з горизонтальним реактором на високолегованому шарі 4Н-SiC, який використовувався в ролі підкладки. Одержані параметри забезпечили потужність діода Ганна 200 мВт на частоті 200 ГГц в узгодженому навантаженні в безперервному режимі. Опис продукції Розроблено технологічний маршрут виготовлення мікрохвильового діоду міліметрового діапазону довжин хвиль на основі нітридів III групи, а саме, нанесення контактної металізації, створення тепловідводу, виготовлення мези діоду. Автори роботи Алейніков Андрій Борисович Захаренко Оксана Миколаївна Кладько Василь Петрович Коломис Олександр Федорович Конакова Раїса Василівна Кочелап Вячеслав Олександрович Кучук Андріан Володимирович Наумов Андрій Вадимович Райчева Валентина Григорівна Рудзінський Віктор Станіславович Стрільчук Віктор Васильович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити