Search academic texts

Information × Registration Number 0401U001289, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 27-04-2001 popup.evolution o Title The features of the scattering anisotropy in the n-Si and n-Ge crystals which appear under the influence of the axial elastic deformation, heat treatment and the nuclear irradiation Author Gajdar Galyna Petrivna, popup.head Литовченко П.Г. popup.opponent Блонський І.В. popup.opponent Романюк Б.М. Description Об'єкт: кінетика електронних процесів і залежність останніх від анізотропії розсіяння електронного газу на коливаннях кристалічної гратки n-Si і n-Ge, а також на домішкових центрах різної природи в їх об'ємі. Мета: комплексне дослідження особливостей анізотропії розсіяння і ролі радіаційних дефектів у формуванні електрофізичних властивостей Si і Ge n-типу при різному рівні легування і з врахуванням наявності в них залишкових домішок в умовах впливу зовнішніх полів. Методи: звичайний і парний ефект Холла, вимірювання питомого опору, магнітоопору, термо-е.р.с. Основні результати: отримано значення констант деформаційного потенціалу зсуву в нейтронно-опромінених кристалах n-Si, параметрів анізотропії рухливості і анізотропії термо-е.р.с. в умовах прояву ефекту захоплення електронів фононами, дослідження впливу ступеня компенсації на вказані ефекти. Registration Date 2001-04-27 popup.nrat_date 2020-04-04 Close