Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0401U001289, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 27-04-2001 Статус Запланована Назва роботи Особливості анізотропії розсіяння електронів у кристалах Si і Ge n-типу, що виникають під впливом направленої пружної деформації, термовідпалів і ядерної радіації Здобувач Гайдар Галина Петрівна, Керівник Литовченко П.Г. Опонент Блонський І.В. Опонент Романюк Б.М. Опис Об'єкт: кінетика електронних процесів і залежність останніх від анізотропії розсіяння електронного газу на коливаннях кристалічної гратки n-Si і n-Ge, а також на домішкових центрах різної природи в їх об'ємі. Мета: комплексне дослідження особливостей анізотропії розсіяння і ролі радіаційних дефектів у формуванні електрофізичних властивостей Si і Ge n-типу при різному рівні легування і з врахуванням наявності в них залишкових домішок в умовах впливу зовнішніх полів. Методи: звичайний і парний ефект Холла, вимірювання питомого опору, магнітоопору, термо-е.р.с. Основні результати: отримано значення констант деформаційного потенціалу зсуву в нейтронно-опромінених кристалах n-Si, параметрів анізотропії рухливості і анізотропії термо-е.р.с. в умовах прояву ефекту захоплення електронів фононами, дослідження впливу ступеня компенсації на вказані ефекти. Дата реєстрації 2001-04-27 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити