Search academic texts

Registration Number

0401U001289, Candidate dissertation

Status

к.ф.-м.н.

Date

27-04-2001

popup.evolution

o

Title

The features of the scattering anisotropy in the n-Si and n-Ge crystals which appear under the influence of the axial elastic deformation, heat treatment and the nuclear irradiation

Author

Gajdar Galyna Petrivna,

popup.head Литовченко П.Г.
popup.opponent Блонський І.В.
popup.opponent Романюк Б.М.

Description

Об'єкт: кінетика електронних процесів і залежність останніх від анізотропії розсіяння електронного газу на коливаннях кристалічної гратки n-Si і n-Ge, а також на домішкових центрах різної природи в їх об'ємі. Мета: комплексне дослідження особливостей анізотропії розсіяння і ролі радіаційних дефектів у формуванні електрофізичних властивостей Si і Ge n-типу при різному рівні легування і з врахуванням наявності в них залишкових домішок в умовах впливу зовнішніх полів. Методи: звичайний і парний ефект Холла, вимірювання питомого опору, магнітоопору, термо-е.р.с. Основні результати: отримано значення констант деформаційного потенціалу зсуву в нейтронно-опромінених кристалах n-Si, параметрів анізотропії рухливості і анізотропії термо-е.р.с. в умовах прояву ефекту захоплення електронів фононами, дослідження впливу ступеня компенсації на вказані ефекти.

Registration Date

2001-04-27

popup.nrat_date

2020-04-04