Search academic texts

Registration Number

0403U000898, Candidate dissertation

Status

к.ф.-м.н.

Date

19-02-2003

popup.evolution

o

Title

Energy structure of defects and photoelectric properties of doped A2B6 crystals

Author

Grypa Oksana Andriyivna,

popup.head Krochuk Ananij Savych
popup.opponent Половинко Ігор Іванович
popup.opponent Заячук Дмитро Михайлович

Description

Проводились дослідження кристалів ZnTe, CdTe та CdS (вирощені методом Бріджмена), легованих домішками Cu, Cr, V з метою встановлення механізму входження 3d-йонів у ніпівпровідникові матриці групи А2В6, симетрії домішкових центрів і положення відповідних домішкових рівнів в забороненій зоні кристалів. Для дослідження використовувались комплексні низькотемпературні вимірювання спектрів поглинання, фотопровідності та фотогальванічного струму, проведені за допомогою експериментальної установки, змонтованої на базі монохроматора МДР-23 та ЕОМ. Встановлено процеси йонізації домішкових йонів. Визначено положення домішкових рівнів різних зарядових станів в досліджуваних кристалах, симетрію і орієнтацію анізотропних центрів на основі неізозарядних йонів. Визначено енергію кулонівського відштовхування домішкових йонів міді в кристалах телуриду кадмію і цинку. Результати дисертаційної роботи використовуються у навчальному процесі кафедри експериментальної фізики Львівського національного університету імені ІванаФранка і для відпрацювання технології вирощування кристалів. Сфера впровадження -фоторефрактивне матеріалознавство.

Registration Date

2003-02-19

popup.nrat_date

2020-04-04