Search academic texts

Information × Registration Number 0403U000898, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 19-02-2003 popup.evolution o Title Energy structure of defects and photoelectric properties of doped A2B6 crystals Author Grypa Oksana Andriyivna, popup.head Krochuk Ananij Savych popup.opponent Половинко Ігор Іванович popup.opponent Заячук Дмитро Михайлович Description Проводились дослідження кристалів ZnTe, CdTe та CdS (вирощені методом Бріджмена), легованих домішками Cu, Cr, V з метою встановлення механізму входження 3d-йонів у ніпівпровідникові матриці групи А2В6, симетрії домішкових центрів і положення відповідних домішкових рівнів в забороненій зоні кристалів. Для дослідження використовувались комплексні низькотемпературні вимірювання спектрів поглинання, фотопровідності та фотогальванічного струму, проведені за допомогою експериментальної установки, змонтованої на базі монохроматора МДР-23 та ЕОМ. Встановлено процеси йонізації домішкових йонів. Визначено положення домішкових рівнів різних зарядових станів в досліджуваних кристалах, симетрію і орієнтацію анізотропних центрів на основі неізозарядних йонів. Визначено енергію кулонівського відштовхування домішкових йонів міді в кристалах телуриду кадмію і цинку. Результати дисертаційної роботи використовуються у навчальному процесі кафедри експериментальної фізики Львівського національного університету імені ІванаФранка і для відпрацювання технології вирощування кристалів. Сфера впровадження -фоторефрактивне матеріалознавство. Registration Date 2003-02-19 popup.nrat_date 2020-04-04 Close