Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0403U000898, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 19-02-2003 Статус Запланована Назва роботи Енергетична структура дефектів і фотоелектричні властивості легованих кристалів групи А2В6 Здобувач Грипа Оксана Андріївна, Керівник Крочук Ананій Савич Опонент Половинко Ігор Іванович Опонент Заячук Дмитро Михайлович Опис Проводились дослідження кристалів ZnTe, CdTe та CdS (вирощені методом Бріджмена), легованих домішками Cu, Cr, V з метою встановлення механізму входження 3d-йонів у ніпівпровідникові матриці групи А2В6, симетрії домішкових центрів і положення відповідних домішкових рівнів в забороненій зоні кристалів. Для дослідження використовувались комплексні низькотемпературні вимірювання спектрів поглинання, фотопровідності та фотогальванічного струму, проведені за допомогою експериментальної установки, змонтованої на базі монохроматора МДР-23 та ЕОМ. Встановлено процеси йонізації домішкових йонів. Визначено положення домішкових рівнів різних зарядових станів в досліджуваних кристалах, симетрію і орієнтацію анізотропних центрів на основі неізозарядних йонів. Визначено енергію кулонівського відштовхування домішкових йонів міді в кристалах телуриду кадмію і цинку. Результати дисертаційної роботи використовуються у навчальному процесі кафедри експериментальної фізики Львівського національного університету імені ІванаФранка і для відпрацювання технології вирощування кристалів. Сфера впровадження -фоторефрактивне матеріалознавство. Дата реєстрації 2003-02-19 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити