Search academic texts

Information × Registration Number 0403U002500, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 20-06-2003 popup.evolution o Title Position-sensitive photodetectors based on Si and epitaxial structures of GaAs (receiving, properties, application) Author Danilets Eugane Valentinovech, popup.head Kucheruk A.D. popup.opponent Дмитрук М.Л. popup.opponent Кулюткіна Т.Ф. Description Об'єкт - явище виникнення фото-ЕРС, яка лінійно залежить від координати світлової плями на поверхні фотоприймача; мета - розробка технології виготовлення ПЧФ із поліпшеними параметрами як на основі традиційних напівпровідникових матеріалів, так і з використанням напівпровідникових структур, що раніше не застосовувалися для виготовлення ПЧФ, а також дослідження їх характеристик і розширення областей їх застосування; методи - оптичні та електричні, математичне моделювання з використанням ЕОМ; новизна - вперше запропоновано оригінальну технологію виготовлення розділяючої канавки для діагонально-розділених кремнієвих ПЧФ з використанням анізотропного травлення, вперше виготовлені ПЧФ на епітаксійних структурах GaAs:Si, вперше проведено чисельне моделювання позиційної характеристики двокоординатних, вперше виготовлені і експериментально досліджені ПЧФ на основі легованої надгратки в системі р-GaAs-n-GaAs; результати - розроблена технологія виготовлення ПЧФ з поліпшеними параметрами як на основі традиційнихнапівпровідникових матеріалів, так і з використанням напівпровідникових структур, що раніше не застосовувались для виготовлення ПЧФ; галузь впровадження - автоматичні системи контролю Registration Date 2003-06-20 popup.nrat_date 2020-04-04 Close