Registration Number
0403U002500, Candidate dissertation
Status
к.т.н.
Date
20-06-2003
popup.evolution
.
Title
Position-sensitive photodetectors based on Si and epitaxial structures of GaAs (receiving, properties, application)
Author
Danilets Eugane Valentinovech,
popup.head Kucheruk A.D.
popup.opponent Дмитрук М.Л.
popup.opponent Кулюткіна Т.Ф.
popup.rada
Kherson state technical university
Description
Об'єкт - явище виникнення фото-ЕРС, яка лінійно залежить від координати світлової плями на поверхні фотоприймача; мета - розробка технології виготовлення ПЧФ із поліпшеними параметрами як на основі традиційних напівпровідникових матеріалів, так і з використанням напівпровідникових структур, що раніше не застосовувалися для виготовлення ПЧФ, а також дослідження їх характеристик і розширення областей їх застосування; методи - оптичні та електричні, математичне моделювання з використанням ЕОМ; новизна - вперше запропоновано оригінальну технологію виготовлення розділяючої канавки для діагонально-розділених кремнієвих ПЧФ з використанням анізотропного травлення, вперше виготовлені ПЧФ на епітаксійних структурах GaAs:Si, вперше проведено чисельне моделювання позиційної характеристики двокоординатних, вперше виготовлені і експериментально досліджені ПЧФ на основі легованої надгратки в системі р-GaAs-n-GaAs; результати - розроблена технологія виготовлення ПЧФ з поліпшеними параметрами як на основі традиційнихнапівпровідникових матеріалів, так і з використанням напівпровідникових структур, що раніше не застосовувались для виготовлення ПЧФ; галузь впровадження - автоматичні системи контролю
Registration Date
2003-07-07
popup.nrat_date
2020-04-04 / 2026-06-30
