Реєстраційний номер
0403U002500, Кандидатська дисертація
На здобуття
к.т.н.
Дата захисту
20-06-2003
Статус
Захищена
Назва роботи
Позиційно-чутливі фотоприймачі на основі Si і епітаксійних структур GaAs (отримання, властивості, застосування)
Здобувач
Данилець Євген Валентинович,
Керівник Кучерук О.Д.
Опонент Дмитрук М.Л.
Опонент Кулюткіна Т.Ф.
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Херсонський державний технічний університет
Опис
Об'єкт - явище виникнення фото-ЕРС, яка лінійно залежить від координати світлової плями на поверхні фотоприймача; мета - розробка технології виготовлення ПЧФ із поліпшеними параметрами як на основі традиційних напівпровідникових матеріалів, так і з використанням напівпровідникових структур, що раніше не застосовувалися для виготовлення ПЧФ, а також дослідження їх характеристик і розширення областей їх застосування; методи - оптичні та електричні, математичне моделювання з використанням ЕОМ; новизна - вперше запропоновано оригінальну технологію виготовлення розділяючої канавки для діагонально-розділених кремнієвих ПЧФ з використанням анізотропного травлення, вперше виготовлені ПЧФ на епітаксійних структурах GaAs:Si, вперше проведено чисельне моделювання позиційної характеристики двокоординатних, вперше виготовлені і експериментально досліджені ПЧФ на основі легованої надгратки в системі р-GaAs-n-GaAs; результати - розроблена технологія виготовлення ПЧФ з поліпшеними параметрами як на основі традиційнихнапівпровідникових матеріалів, так і з використанням напівпровідникових структур, що раніше не застосовувались для виготовлення ПЧФ; галузь впровадження - автоматичні системи контролю
Дата реєстрації
2003-07-07
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-04 / 2026-06-30
