Search academic texts

Information × Registration Number 0404U002066, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 23-04-2004 popup.evolution o Title Receiving and properties of the silicon composition, modification under ion-plasma handling Author Kravchina Vitaliy Victorovich, popup.head Gorban A. N. popup.opponent Костенко В.Л. popup.opponent Тєтєрьвова Н.О. Description Об'єкт - технологія виготовлення напівпровідникових приладів і фізичні процеси, які складають її сутність; мета - розробка процесів іонно-плазмового травлення та осадження; методи - інфрачервоної -, рентгенівської та Оже-спектрометрії, оптичної та електронної мікроскопії; новизна - вперше показано, що швидкість травлення деформованої вигином поверхні кремнію залежить від типу провідності кремнію і типу механічних напружень, розтягу або стискання, а також від їх кристалографічної спрямованості; Встановлено, що при іонно-хімічному травленні на поверхні полікристалічного кремнію утворюється від'ємний заряд з максимумом на межі поділу Si*-SiО2, а порушений шар кремнію складається з n+ шару і прилеглого шару просторового позитивного заряду; Вперше розроблено режими плазмового травлення таким чином, що відбувається селективне плазмохімічне травлення кремнію відносно SiO2 і осадження продуктів травлення на плівці фоторезисту над окисом кремнію. Осаджені продукти травлення окислюються. На окислі кремнію утворюється самосумісна локальна плівка. Утворенні плівки складаються із зерен SiО2, які мають включення з аморфного та полікристалічного кремнію; сфера використання - технологія виготовлення напівпровідникових приладів. Registration Date 2004-04-23 popup.nrat_date 2020-04-04 Close