Search academic texts

Registration Number

0404U002066, Candidate dissertation

Title

Receiving and properties of the silicon composition, modification under ion-plasma handling

Author

Kravchina Vitaliy Victorovich,

popup.head Gorban A. N.
popup.opponent Костенко В.Л.
popup.opponent Тєтєрьвова Н.О.

Status

к.т.н., 05.27.06, Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки

Date

23-04-2004

Description

Об'єкт - технологія виготовлення напівпровідникових приладів і фізичні процеси, які складають її сутність; мета - розробка процесів іонно-плазмового травлення та осадження; методи - інфрачервоної -, рентгенівської та Оже-спектрометрії, оптичної та електронної мікроскопії; новизна - вперше показано, що швидкість травлення деформованої вигином поверхні кремнію залежить від типу провідності кремнію і типу механічних напружень, розтягу або стискання, а також від їх кристалографічної спрямованості; Встановлено, що при іонно-хімічному травленні на поверхні полікристалічного кремнію утворюється від'ємний заряд з максимумом на межі поділу Si*-SiО2, а порушений шар кремнію складається з n+ шару і прилеглого шару просторового позитивного заряду; Вперше розроблено режими плазмового травлення таким чином, що відбувається селективне плазмохімічне травлення кремнію відносно SiO2 і осадження продуктів травлення на плівці фоторезисту над окисом кремнію. Осаджені продукти травлення окислюються. На окислі кремнію утворюється самосумісна локальна плівка. Утворенні плівки складаються із зерен SiО2, які мають включення з аморфного та полікристалічного кремнію; сфера використання - технологія виготовлення напівпровідникових приладів.