Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0404U002066, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 23-04-2004 Статус Запланована Назва роботи Одержання і властивості кремнієвих композицій, модифікованих іонно-плазмовими обробками. Здобувач Кравчина Віталій Вікторович, Керівник Горбань О.М. Опонент Костенко В.Л. Опонент Тєтєрьвова Н.О. Опис Об'єкт - технологія виготовлення напівпровідникових приладів і фізичні процеси, які складають її сутність; мета - розробка процесів іонно-плазмового травлення та осадження; методи - інфрачервоної -, рентгенівської та Оже-спектрометрії, оптичної та електронної мікроскопії; новизна - вперше показано, що швидкість травлення деформованої вигином поверхні кремнію залежить від типу провідності кремнію і типу механічних напружень, розтягу або стискання, а також від їх кристалографічної спрямованості; Встановлено, що при іонно-хімічному травленні на поверхні полікристалічного кремнію утворюється від'ємний заряд з максимумом на межі поділу Si*-SiО2, а порушений шар кремнію складається з n+ шару і прилеглого шару просторового позитивного заряду; Вперше розроблено режими плазмового травлення таким чином, що відбувається селективне плазмохімічне травлення кремнію відносно SiO2 і осадження продуктів травлення на плівці фоторезисту над окисом кремнію. Осаджені продукти травлення окислюються. На окислі кремнію утворюється самосумісна локальна плівка. Утворенні плівки складаються із зерен SiО2, які мають включення з аморфного та полікристалічного кремнію; сфера використання - технологія виготовлення напівпровідникових приладів. Дата реєстрації 2004-04-23 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити