Search academic texts

Information × Registration Number 0405U002225, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 24-05-2005 popup.evolution o Title Investigation of the diffusion mechanisms of implanted dopants in the layered silicon-based structures at non-equilibrium point defect concentration. Author Oberemok Oleksandr Stepanovych, popup.head Romanjuk Borys Mykolajovych popup.opponent Крайчинський Анатолій Миколайович popup.opponent Мельник Павло Вікентійович Description Дисертація присвячена дослідженню впливу нерівноважних точкових дефектів на процеси перерозподілу домішок поблизу границь розділу фаз в твердому тілі, вивченню механізмів прискореної дифузії домішок, їх електричної активації та преципітації, дослідженню процесів гетерування рекомбінаційно-активних домішок в шаруватих структурах мультикристалічний кремній - поруватий кремній - алюмінієва плівка та дослідженню впливу УЗ випромінювання на процеси дифузії дефектів при імплантації іонів бору та аргону в кремній. Розроблено методику пошарового високочастотного розпилення діелектричних матриць. Показано, що точкові дефекти, сформовані внаслідок відпалу SiO2/Si структур додатково імплантованих домішками кисню або вуглецю дозволяють керувати поведінкою домішки арсену поблизу поверхні. Досліджено активацію домішки As після ізохронних та ізотермічних відпалів в присутності кисню та вуглецю. Показано, що por-Si+Al/Si структура є ефективним гетерним шаром при ШТВ. Виявлено прискорену дифузію атомів заліза на гетерний шар в мультикристалічному кремнії. Запропоновано модель гетеруючого ефекту пов'язану з кінетикою преципітації атомів металу та інжекцією точкових дефектів при ШТВ. Виявлено, що УЗ опромінення, при імплантації, призводить до зменшення дефектності як у вихідних, так і у відпалених зразках, а також до пригнічення прискореної дифузії бору в кремнії. Запропоновано фізичну модель цього явища. Registration Date 2005-05-24 popup.nrat_date 2020-04-04 Close