Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0405U002225, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 24-05-2005 Статус Запланована Назва роботи Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів. Здобувач Оберемок Олександр Степанович, Керівник Романюк Борис Миколайович Опонент Крайчинський Анатолій Миколайович Опонент Мельник Павло Вікентійович Опис Дисертація присвячена дослідженню впливу нерівноважних точкових дефектів на процеси перерозподілу домішок поблизу границь розділу фаз в твердому тілі, вивченню механізмів прискореної дифузії домішок, їх електричної активації та преципітації, дослідженню процесів гетерування рекомбінаційно-активних домішок в шаруватих структурах мультикристалічний кремній - поруватий кремній - алюмінієва плівка та дослідженню впливу УЗ випромінювання на процеси дифузії дефектів при імплантації іонів бору та аргону в кремній. Розроблено методику пошарового високочастотного розпилення діелектричних матриць. Показано, що точкові дефекти, сформовані внаслідок відпалу SiO2/Si структур додатково імплантованих домішками кисню або вуглецю дозволяють керувати поведінкою домішки арсену поблизу поверхні. Досліджено активацію домішки As після ізохронних та ізотермічних відпалів в присутності кисню та вуглецю. Показано, що por-Si+Al/Si структура є ефективним гетерним шаром при ШТВ. Виявлено прискорену дифузію атомів заліза на гетерний шар в мультикристалічному кремнії. Запропоновано модель гетеруючого ефекту пов'язану з кінетикою преципітації атомів металу та інжекцією точкових дефектів при ШТВ. Виявлено, що УЗ опромінення, при імплантації, призводить до зменшення дефектності як у вихідних, так і у відпалених зразках, а також до пригнічення прискореної дифузії бору в кремнії. Запропоновано фізичну модель цього явища. Дата реєстрації 2005-05-24 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити