Search academic texts

Registration Number

0405U002225, Candidate dissertation

Title

Investigation of the diffusion mechanisms of implanted dopants in the layered silicon-based structures at non-equilibrium point defect concentration.

Author

Oberemok Oleksandr Stepanovych,

popup.head Romanjuk Borys Mykolajovych
popup.opponent Крайчинський Анатолій Миколайович
popup.opponent Мельник Павло Вікентійович

Status

к.ф.-м.н., 01.04.07, Фізика твердого тіла

Date

24-05-2005

Description

Дисертація присвячена дослідженню впливу нерівноважних точкових дефектів на процеси перерозподілу домішок поблизу границь розділу фаз в твердому тілі, вивченню механізмів прискореної дифузії домішок, їх електричної активації та преципітації, дослідженню процесів гетерування рекомбінаційно-активних домішок в шаруватих структурах мультикристалічний кремній - поруватий кремній - алюмінієва плівка та дослідженню впливу УЗ випромінювання на процеси дифузії дефектів при імплантації іонів бору та аргону в кремній. Розроблено методику пошарового високочастотного розпилення діелектричних матриць. Показано, що точкові дефекти, сформовані внаслідок відпалу SiO2/Si структур додатково імплантованих домішками кисню або вуглецю дозволяють керувати поведінкою домішки арсену поблизу поверхні. Досліджено активацію домішки As після ізохронних та ізотермічних відпалів в присутності кисню та вуглецю. Показано, що por-Si+Al/Si структура є ефективним гетерним шаром при ШТВ. Виявлено прискорену дифузію атомів заліза на гетерний шар в мультикристалічному кремнії. Запропоновано модель гетеруючого ефекту пов'язану з кінетикою преципітації атомів металу та інжекцією точкових дефектів при ШТВ. Виявлено, що УЗ опромінення, при імплантації, призводить до зменшення дефектності як у вихідних, так і у відпалених зразках, а також до пригнічення прискореної дифузії бору в кремнії. Запропоновано фізичну модель цього явища.