Registration Number
0406U000602, Candidate dissertation
Status
к.т.н.
Date
17-02-2006
popup.evolution
.
Title
Radiation effects in HEMTs made on the basis of AlGaN/GaN heterojunctions.
Author
Kurakin Andrij Mykhajlovych,
popup.head Konakova Raisa Vasylivna
popup.opponent Лисенко Володимир Сергійович
popup.opponent Шкавро Анатолій Григорович
popup.rada
Institute of Semiconductor Physics
Description
В роботі представлені результати дослідження дії гамма-радіації на параметри та характеристики приладових структур на базі гетеропереходу AlGaN/GaN. За експериментальними вольт-амперними характеристиками детально проаналізовано деградацію основних операційних параметрів (струмів насичення, напруги відсічки, крутизни) транзисторів з високою рухливістю носіїв заряду в каналі (НЕМТ), з шириною каналу від 100 до 400 мкм і довжиною затвору від 0.15 до 0.35 мкм, під впливом доз опромінення до 2?108 рад. Розглянуто процеси, що відбуваються під впливом радіації до загальної дози 2?109 рад в контактній металізації Шотткі контактів Au-Ni-GaN і Au-ZrB2-AlGaN/GaN за даними проведених структурних досліджень. Не дивлячись на прогнозовану високу стійкість приладів на базі матеріалів нітридної групи, встановлено значну (до 40%) деградацію основних параметрів транзисторів, виявлено складний характер стимульованої деградації НЕМТ (спостережено залежність ефектів від геометричних розмірів транзисторних структур і робочихумов). Фізичні причини радіаційного старіння тестових структур проаналізовано з урахуванням можливої релаксації механічних напружень бар’єрного шару AlGaN, а також стимульованих міжфазних реакцій і зернограничної дифузії в контактній металізації.
Registration Date
2006-02-21
popup.nrat_date
2020-04-04 / 2026-06-30
