Search academic texts

Information × Registration Number 0406U000602, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 17-02-2006 popup.evolution o Title Radiation effects in HEMTs made on the basis of AlGaN/GaN heterojunctions. Author Kurakin Andrij Mykhajlovych, popup.head Konakova Raisa Vasylivna popup.opponent Лисенко Володимир Сергійович popup.opponent Шкавро Анатолій Григорович Description В роботі представлені результати дослідження дії гамма-радіації на параметри та характеристики приладових структур на базі гетеропереходу AlGaN/GaN. За експериментальними вольт-амперними характеристиками детально проаналізовано деградацію основних операційних параметрів (струмів насичення, напруги відсічки, крутизни) транзисторів з високою рухливістю носіїв заряду в каналі (НЕМТ), з шириною каналу від 100 до 400 мкм і довжиною затвору від 0.15 до 0.35 мкм, під впливом доз опромінення до 2?108 рад. Розглянуто процеси, що відбуваються під впливом радіації до загальної дози 2?109 рад в контактній металізації Шотткі контактів Au-Ni-GaN і Au-ZrB2-AlGaN/GaN за даними проведених структурних досліджень. Не дивлячись на прогнозовану високу стійкість приладів на базі матеріалів нітридної групи, встановлено значну (до 40%) деградацію основних параметрів транзисторів, виявлено складний характер стимульованої деградації НЕМТ (спостережено залежність ефектів від геометричних розмірів транзисторних структур і робочихумов). Фізичні причини радіаційного старіння тестових структур проаналізовано з урахуванням можливої релаксації механічних напружень бар’єрного шару AlGaN, а також стимульованих міжфазних реакцій і зернограничної дифузії в контактній металізації. Registration Date 2006-02-17 popup.nrat_date 2020-04-04 Close