Search academic texts

Information × Registration Number 0407U004553, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 26-10-2007 popup.evolution o Title Transport properties and photoelectric processes in Hg3In2Te6-based diode structures Author German Ivanna Ivanivna, popup.head Kosyachenko Leonid Andriyovich popup.opponent Лашкарьов Георгій Вадимович popup.opponent Марянчук Павло Дмитрович Description Досліджено фізичні процеси, що визначають електричні, оптичні, фотоелектричні характеристики діодів на основі Hg3In2Te6. У спектральному діапазоні 0,4-1,7 мкм знайдені показник заломлення та коефіцієнт екстинції. Перенос заряду в Au-Hg3In2Te6 і Ni-Hg3In2Te6 діодах описано теорією Саа-Нойса-Шоклі з урахуванням процесів у діоді Шотткі. Основним механізмом переносу заряду в структурі ITO/Hg3In2Te6 є надбар'єрне проходження електронів. Пояснено експериментальні спектри фоточутливості діодів. Registration Date 2007-10-26 popup.nrat_date 2020-04-04 Close