Search academic texts

Registration Number

0407U004553, Candidate dissertation

Status

к.ф.-м.н., 01.04.10, Фізика напівпровідників і діелектриків

Date

26-10-2007

popup.evolution

o

Title

Transport properties and photoelectric processes in Hg3In2Te6-based diode structures

Author

German Ivanna Ivanivna,

popup.head Kosyachenko Leonid Andriyovich
popup.opponent Лашкарьов Георгій Вадимович
popup.opponent Марянчук Павло Дмитрович

Description

Досліджено фізичні процеси, що визначають електричні, оптичні, фотоелектричні характеристики діодів на основі Hg3In2Te6. У спектральному діапазоні 0,4-1,7 мкм знайдені показник заломлення та коефіцієнт екстинції. Перенос заряду в Au-Hg3In2Te6 і Ni-Hg3In2Te6 діодах описано теорією Саа-Нойса-Шоклі з урахуванням процесів у діоді Шотткі. Основним механізмом переносу заряду в структурі ITO/Hg3In2Te6 є надбар'єрне проходження електронів. Пояснено експериментальні спектри фоточутливості діодів.

popup.nrat_date

2020-04-04