Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0407U004553, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 26-10-2007 Статус Запланована Назва роботи Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6 Здобувач Герман Іванна Іванівна, Керівник Косяченко Леонід Андрійович Опонент Лашкарьов Георгій Вадимович Опонент Марянчук Павло Дмитрович Опис Досліджено фізичні процеси, що визначають електричні, оптичні, фотоелектричні характеристики діодів на основі Hg3In2Te6. У спектральному діапазоні 0,4-1,7 мкм знайдені показник заломлення та коефіцієнт екстинції. Перенос заряду в Au-Hg3In2Te6 і Ni-Hg3In2Te6 діодах описано теорією Саа-Нойса-Шоклі з урахуванням процесів у діоді Шотткі. Основним механізмом переносу заряду в структурі ITO/Hg3In2Te6 є надбар'єрне проходження електронів. Пояснено експериментальні спектри фоточутливості діодів. Дата реєстрації 2007-10-26 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити