Search academic texts

Information × Registration Number 0411U000606, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 24-02-2011 popup.evolution o Title Tenzoeffects in multivalley semiconductors (n-Ge , n-Si). Author Luniov Sergey Valintinovich, popup.head Fedosov S.A. popup.opponent Баранський П.І. popup.opponent Головацький В.А. Description Дисертація присвячена вивченню особливостей тензоефектів в кристалах n-Ge та n-Si при наявності технологічних і радіаційних дефектів. Запропоновано метод розрахунку зміни положення глибоких енергетичних рівнів при дії одновісної пружної деформації, на основі якого було визначено баричні коефіцієнти зміни енергетичної щілини між глибоким енергетичним рівнем золота і дном зони провідності n-Ge та глибоким енергетичним рівнем А-центру і дном зони провідності n-Si для різних кристалографічних напрямків. Оцінено ступінь заповнення глибоких рівнів в кристалах n-Ge та n-Si. Досліджено особливості міждолинного розсіяння в кристалах кремнію при високих температурах. Registration Date 2011-02-24 popup.nrat_date 2020-04-04 Close