Registration Number
0411U000606, Candidate dissertation
Status
к.ф.-м.н.
Date
24-02-2011
popup.evolution
.
Title
Tenzoeffects in multivalley semiconductors (n-Ge , n-Si).
Author
Luniov Sergey Valintinovich,
popup.head Fedosov S.A.
popup.opponent Баранський П.І.
popup.opponent Головацький В.А.
popup.rada
Lesya Ukrainka Volyn National University
Description
Дисертація присвячена вивченню особливостей тензоефектів в кристалах n-Ge та n-Si при наявності технологічних і радіаційних дефектів. Запропоновано метод розрахунку зміни положення глибоких енергетичних рівнів при дії одновісної пружної деформації, на основі якого було визначено баричні коефіцієнти зміни енергетичної щілини між глибоким енергетичним рівнем золота і дном зони провідності n-Ge та глибоким енергетичним рівнем А-центру і дном зони провідності n-Si для різних кристалографічних напрямків. Оцінено ступінь заповнення глибоких рівнів в кристалах n-Ge та n-Si. Досліджено особливості міждолинного розсіяння в кристалах кремнію при високих температурах.
Registration Date
2011-03-15
popup.nrat_date
2020-04-04 / 2026-06-30